جواد طایی

در این پژوهش به منظور بهبود تاثیر میدان مغناطیسی بر شاخص های جوانه زنی بذر و افزایش رشد اولیه گیاهچه، اقدام به طراحی و ساخت یک سامانه با مکانیزم رفت و برگشتی برای حرکت دادن بذر در میدان شد و در میدان های مغناطیسی چهار میدانه و دو میدانه برای بذر وسمه مورد ارزیابی قرار گرفت. آزمایش بصورت طرح فاکتوریل در قالب طرح کاملا تصادفی با 3 تیمار در 3 تکرار اجراء شد. تیمار ها شامل نوع میدان (ایستا و متقاطع)، شدت میدان (100، 200، 300و 400 میکروتسلا) و مدت زمان اعمال میدان (15، 30، 45 و 60 دقیقه) بود. شاخص های مورد بررسی عبارت بودند از: درصد جوانه زنی، سرعت جوانه زنی، شاخص بنیه، طول ساقه چه، طول ریشه چه، وزن تر ساقه چه، وزن تر ریشه چه، وزن خشک ریشه چه، وزن خشک ساقه چه و ضریب آلومتری. بطورکلی تجزیه و تحلیل نتایج حاصل از قرار گیری بذر گیاه وسمه در معرض سامانه مغناطیسی ایستا یا متقاطع و دو میدانه یا چهار میدانه حاکی از بهبود معنی دار شاخص های جوانه زنی و رشد اولیه گیاهچه درسطح یک درصد بود. بالاترین عملکرد شاخص های طول ریشه چه، طول ساقه چه، وزن تر ساقه چه، وزن خشک ساقه چه، وزن تر ریشه چه و وزن خشک ریشه چه در سامانه مغناطیسی متقاطع دو میدانه حاصل شد. همچنین بهترین نوع میدان در صفت های سرعت جوانه زنی، و شاخص بنیه سامانه مغناطیسی چهار میدانه متقاطع بود. بهترین نوع میدان در شاخص درصد جوانه زنی، سامانه مغناطیسی متقاطع دومیدانه و چهار میدانه بود و بالاترین ضریب آلومتری در میدان متقاطع دو میدانه مشاهده شد.